硅探测器

型号名称

SI190紫外增强硅探测器

SI300硅探测器

感光面积

100(10×10) mm2

100(10×10) mm2

波长使用范围

190-1100 nm

300-1100 nm

峰值波长

960 nm

800±20 nm

峰值波长响应度

0.5 A/W

>0.4 A/W

200nm的响应度

0.1-0.12 A/W

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响应时间

3µs

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工作温度范围

-20～+60℃

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储存温度范围

-20～+80℃

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分流电阻

200(>50) MΩ

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等效噪声功率

1.8×10-14W/√Hz

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暗电流（25℃；-1V）

2×10-10 A

1×10-8-5×10-11 A

结电容

1100 pf（VR =0V,f=10KHz）

<3000 pf (-10V)

重量

0.18kg

0.18kg